ブラックシリコンは、一般的な半導体材料であるシリコンの100～500倍もの感度を有すると言われています。 また、InGaAsのような規制がなく既存のCMOSプロセス技術と互換性があるので安価に近赤外領域を撮影することができます。
そのブラックシリコン構造で設計されたSiOnyx社のXQE-0920を採用し、冷却によりノイズを限りなく抑えた近赤外領域に感度が高い冷却CMOSカメラシステムCS-64NIRをリリースしました。 評価用貸し出し機も準備しましたので、是非一度お試しください。


 

 

 

 

仕様

製品名 CS-64NIR
デバイス XQE-0920（モノクロ）
対応波長領域  400～1200nm 
 ピクセル数 1280×720（92万画素）
 ピクセルサイズ 5.6×5.6µm
 受光面積 7.17×4.03mm 
 ゲイン倍率 最大８倍
A/D変換  12ビット（38fps） 
 冷却方式 ペルチェ素子冷却・水冷機構付き 
レンズマウント  Cマウント（1/2インチ） 
インターフェース 

USB3.0 (パソコンダイレクト) / PCI (Matrox Solios/Radient)
画像記録インターフェースBPU-30 (パソコンとの接続はUSB3.0)
主な用途  ソーラーパネルの検査、農作物食品の検査、半導体の製造検査、赤外線イメージング、生体科学分野など 

※仕様は、予告なく変更する場合があります。