製造元：ユニオプト（株）
SBR-3-IRは,赤外光源の複屈折装置です.光源の波長を近赤外(λ=1,550 nm)とすることにより,従来測定が困難であったシリコンなどの半導体の複屈折分布を,高精度に測定することが可能となりました.
性能
| 仕様 | 複屈折位相差 | 主軸方位角 | |
| 測定性能 | 分解能 | 0.05 nm (at 1550 nm) | 0.2 deg. |
| 範囲 | 0 – 180 deg. (0 – 775 nm at 1550 nm) | ± 90 deg. | |
| 繰り返し精度 |
±0.15 nm (Re = 0 nm) ±0.5 nm (Re = 388 nm) |
– ±0.5 deg. (Re = 388 nm) |
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| 測定速度 | Appx. 1 sec. / point | ||
| 光学系 | 測定原理 | 偏光変調回転法 | |
| 光源 | レーザーダイオード(λ=1550 nm) | ||
| 試料ステージ系 | 固定方法 | 別途相談(標準走査範囲 : 50 x 50 nm以下) 試料の主軸方位は既知(主軸方位固定)であること. | |
赤外光モデルの用途・応用例
シリコンインゴット等の結晶材料の残留応力分布測定
高分子フィルムの複屈折測定
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シリコンディスク(Φ25 x 2 mm)の計測例 |
外部から負荷をかけた例光弾性複屈折が観測できる. |
